适合5G室外基站专用的TCXO温补晶振X1G006011004314，5G基站作为5G网络的核心，能够有效的改变我们的生活和未来的经济，随着5G的到来，使得我们的生活更加便捷，同时也带来新的机会，爱普生公司在这个5G基站中找到新的发展方向，作为一家具备多元化的制造商，自成立以来一直秉持着专业，诚信的经营理念，以帮助全球用户解决在晶体行业所遇到的问题，以此实现自我的价值，并打造专业化的技术团队以及一流的服务团队，开发出更多高质量的石英晶振。


适合5G室外基站专用的TCXO温补晶振X1G006011004314，爱普生公司推出了TG-5511CA晶振，温补晶振编码X1G006011004314，频率20.000000兆赫，输出WaveCMOS，电源电压3.13 ~ 3.46 V，电源电压(一般)3.300 V，尺寸(LxWxH)7.0 x 5.0 x 1.5 mm，工作温度-40至+105°C，频率公差+/- 1.0 ppm，5G基站和边缘计算可调至+85℃，需要户外安装，小型化和无风扇操作，与其他tcxo相比，它提供了各种改进，如由于低温的坡度和相位噪声，符合GR-1244-CORE Stratum3和G.8262.1, G.8273.2 (A类，B类)，注意:本产品没有电压控制(Vc)功能.

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	爱普生晶振	Supply Voltage	F.Tol@25°C	Ope Temperature
X1G006011004214	TG-5511CA	19.200000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +105 °C
X1G006011004314	TG-5511CA	20.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +105 °C
X1G006011004414	TG-5511CA	24.576000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +105 °C
X1G006011004514	TG-5511CA	25.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +105 °C
X1G006011004614	TG-5511CA	38.880000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +105 °C
X1G006011004714	TG-5511CA	40.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +105 °C
X1G006011004814	TG-5511CA	50.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +105 °C
X1G006011007614	TG-5511CA	30.720000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G006011007714	TG-5511CA	24.576000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G006011007814	TG-5511CA	49.152000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G006011007914	TG-5511CA	24.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	Clipped sine wave	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C
X1G006011008014	TG-5511CA	48.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	Clipped sine wave	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C
X1G006011008114	TG-5511CA	19.200000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G006011008214	TG-5511CA	38.400000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G006011008314	TG-5511CA	27.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C
X1G006011009014	TG-5511CA	25.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G006011009114	TG-5511CA	19.440000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G006011009214	TG-5511CA	25.600000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G006011009314	TG-5511CA	40.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C

晶振也分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称不同,无源晶振为crystal（晶体）,而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号自身无法振荡起来,所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振是一个完整的振荡器。石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率的一种电子器件。